Numărul de produs al producătorului:
FQI10N60CTU
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQI10N60CTU-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 9.5A (Tc) 3.13W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventar:
12850520
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQI10N60CTU Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
730mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2040 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.13W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262 (I2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
FQI1
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
AOW11N60
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
773
DiGi NUMĂR DE PARTE
AOW11N60-DG
PREȚ UNIC
0.82
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRFSL9N60APBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
900
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFSL9N60APBF-DG
PREȚ UNIC
1.21
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQD10N20CTF
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
FQD12N20LTF
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
FCP190N60
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
