FQD7P20TM_F080
Numărul de produs al producătorului:

FQD7P20TM_F080

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FQD7P20TM_F080-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Descriere detaliată:
P-Channel 200 V 5.7A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventar:

12837310
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FQD7P20TM_F080 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
690mOhm @ 2.85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
770 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
FQD7

Informații suplimentare

Pachet standard
2,500

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
FQD7P20TM
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
39
DiGi NUMĂR DE PARTE
FQD7P20TM-DG
PREȚ UNIC
0.39
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
onsemi

IRLR230ATF

MOSFET N-CH 200V 7.5A DPAK

onsemi

FCP067N65S3

MOSFET N-CH 650V 44A TO220

onsemi

HUFA75842P3

MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3

onsemi

FDD4685-F085

MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK