Numărul de produs al producătorului:
FQD3N30TM
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQD3N30TM-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 300 V 2.4A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12850835
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQD3N30TM Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
300 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
230 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
FQD3
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQP2N60C
MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3
R6050JNZ4C13
MOSFET N-CH 600V 50A TO247G
FQD6N50CTM_F080
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK