Numărul de produs al producătorului:
FQD2N90TM
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQD2N90TM-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
11464 Piese Noi Originale În Stoc
12930578
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQD2N90TM Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
QFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
900 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.2Ohm @ 850mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
FQD2N90
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FQD2N90TMTR
FQD2N90TM-DG
FQD2N90TMCT
FQD2N90TMDKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
HUF76609D3
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
HUFA75307D3ST
MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
AOTF2910L
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3F
