Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
FQD13N10LTM_NBEL001
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQD13N10LTM_NBEL001-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
RFQ Online
12839263
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQD13N10LTM_NBEL001 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
520 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
FQD1
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
FQD13N10LTM_NBEL001-DG
Fișe tehnice
FQD13N10LTM_NBEL001
Informații suplimentare
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRLR120NTRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2710
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRLR120NTRLPBF-DG
PREȚ UNIC
0.39
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
BUK7275-100A,118
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
68370
DiGi NUMĂR DE PARTE
BUK7275-100A,118-DG
PREȚ UNIC
0.40
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
FQD13N10LTM
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
3288
DiGi NUMĂR DE PARTE
FQD13N10LTM-DG
PREȚ UNIC
0.22
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDT458P
MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
AUIRLR3110Z
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
FQD30N06TF
MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK
AUIRF5210STRL
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK