Numărul de produs al producătorului:
FQB7N20LTM
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQB7N20LTM-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 6.5A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 6.5A (Tc) 3.13W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12849374
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQB7N20LTM Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 3.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.13W (Ta), 63W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
FQB7
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RCJ081N20TL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
RCJ081N20TL-DG
PREȚ UNIC
0.38
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFP150A
MOSFET N-CH 100V 43A TO3PN
IPP096N03L G
MOSFET N-CH 30V 35A TO220-3
FQP13N06L
MOSFET N-CH 60V 13.6A TO220-3
