Numărul de produs al producătorului:
FQB6N90TM_AM002
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQB6N90TM_AM002-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 900 V 5.8A (Tc) 3.13W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12838612
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQB6N90TM_AM002 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
900 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1880 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.13W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
FQB6
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STB6NK90ZT4
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB6NK90ZT4-DG
PREȚ UNIC
1.32
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FCH072N60
MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3
FQB8N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
FDPF18N50
MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
