FQB4P25TM
Numărul de produs al producătorului:

FQB4P25TM

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FQB4P25TM-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK
Descriere detaliată:
P-Channel 250 V 4A (Tc) 3.13W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

12836098
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FQB4P25TM Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.1Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
420 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.13W (Ta), 75W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
FQB4

Informații suplimentare

Pachet standard
800

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IRF5210STRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
7933
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF5210STRLPBF-DG
PREȚ UNIC
1.26
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

AUIRFS3006-7P

MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK

onsemi

FQD7P06TM

MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK

onsemi

FDN340P

MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3

onsemi

FCP11N60N

MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220-3