FQB3N40TM
Numărul de produs al producătorului:

FQB3N40TM

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FQB3N40TM-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 400 V 2.5A (Tc) 3.13W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

12839069
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FQB3N40TM Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
400 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.4Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
230 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.13W (Ta), 55W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
FQB3

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
800

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IRF540NSTRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
7309
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF540NSTRLPBF-DG
PREȚ UNIC
0.52
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
onsemi

FCH130N60

MOSFET N-CH 600V 28A TO247-3

onsemi

FDS6672A

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC

infineon-technologies

BSP135 E6906

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4

onsemi

FDD86110

MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK