Numărul de produs al producătorului:
FQB3N25TM
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQB3N25TM-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 2.8A (Tc) 3.13W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12840333
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQB3N25TM Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
170 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.13W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
FQB3
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF540NSTRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
7309
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF540NSTRLPBF-DG
PREȚ UNIC
0.52
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDD6685
MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252
2SK354700L
MOSFET N-CH 50V 100MA SSSMINI3
BSZ067N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
