Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
FQB22P10TM
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQB22P10TM-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Descriere detaliată:
P-Channel 100 V 22A (Tc) 3.75W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
RFQ Online
12851783
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQB22P10TM Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
QFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.75W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
FQB22P10
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
FQB22P10
Informații suplimentare
Alte nume
FQB22P10TMCT
FQB22P10TM-DG
FQB22P10TMDKR
FQB22P10TMTR
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF9Z34NSTRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2148
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF9Z34NSTRLPBF-DG
PREȚ UNIC
0.46
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRF9540NSTRRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
5
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF9540NSTRRPBF-DG
PREȚ UNIC
1.45
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
RSJ250P10TL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
1434
DiGi NUMĂR DE PARTE
RSJ250P10TL-DG
PREȚ UNIC
1.21
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRF9540NSTRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
4795
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF9540NSTRLPBF-DG
PREȚ UNIC
0.75
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPW65R045C7300XKSA1
MOSFET N-CH 650V 46A TO247
RHK003N06FRAT146
MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3
BSP171PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
HUF75639S3S
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK