Numărul de produs al producătorului:
FQB19N10LTM
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQB19N10LTM-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 19A (Tc) 3.75W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12836854
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQB19N10LTM Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.75W (Ta), 75W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
FQB1
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRL530NSTRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
21055
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRL530NSTRLPBF-DG
PREȚ UNIC
0.52
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
HUFA76633S3S
MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
2V7002LT3G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
BSP295H6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4