Numărul de produs al producătorului:
FQAF33N10L
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQAF33N10L-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 25.8A TO3PF
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 25.8A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventar:
12930526
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQAF33N10L Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
25.8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 12.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1630 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3PF
Pachet / Carcasă
TO-3P-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
FQAF3
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFP140NPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFP140NPBF-DG
PREȚ UNIC
0.83
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
HUFA76423D3ST
MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
NTD6600N-1G
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
AOTF11N70
MOSFET N-CH 700V 11A TO220-3F