FQAF12N60

Numărul de produs al producătorului:

FQAF12N60

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FQAF12N60-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 7.8A TO3PF

Descriere detaliată:

N-Channel 600 V 7.8A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-3PF

Inventar:

RFQ Online

12849595

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

FQAF12N60 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

-

Serie

QFET®

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

600 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

7.8A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

54 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1900 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

100W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-3PF

Pachet / Carcasă

TO-3P-3 Full Pack

Numărul de bază al produsului

FQAF1

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

30

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

BUZ11-NR4941

MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3

onsemi

FDPF2710T

MOSFET N-CH 250V 25A TO220F

onsemi

FDD10AN06A0

MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA

onsemi

FQAF19N60

MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF