FQAF10N80

Numărul de produs al producătorului:

FQAF10N80

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FQAF10N80-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF

Descriere detaliată:

N-Channel 800 V 6.7A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-3PF

Inventar:

RFQ Online

12838310

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

FQAF10N80 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

-

Serie

QFET®

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

800 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

6.7A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

1.05Ohm @ 3.35A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

71 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2700 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

113W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-3PF

Pachet / Carcasă

TO-3P-3 Full Pack

Numărul de bază al produsului

FQAF1

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

360

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

FQB34P10TM-F085

MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK

onsemi

FDMS86183

MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN

onsemi

FDMS86369-F085

MOSFET N-CH 80V 65A POWER56

EFC6604R-A-TR

MOSFET N-CH 24V 6A EFCP