Numărul de produs al producătorului:
FQA90N10V2
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQA90N10V2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 105A TO3P
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 105A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
12850229
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQA90N10V2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
105A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 52.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
191 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6150 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
330W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
FQA9
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFP4310ZPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1902
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFP4310ZPBF-DG
PREȚ UNIC
2.10
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
2SK1317-E
PRODUCĂTOR
Renesas Electronics Corporation
CANTITATE DISPONIBILĂ
5608
DiGi NUMĂR DE PARTE
2SK1317-E-DG
PREȚ UNIC
3.29
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
