FQA70N10

Numărul de produs al producătorului:

FQA70N10

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FQA70N10-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN

Descriere detaliată:

N-Channel 100 V 70A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-3PN

Inventar:

66 Piese Noi Originale În Stoc

12847191

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

pKMU

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

FQA70N10 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

Tube

Serie

QFET®

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

100 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

70A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

110 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±25V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

3300 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

214W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-3PN

Pachet / Carcasă

TO-3P-3, SC-65-3

Numărul de bază al produsului

FQA70

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

Not Applicable

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

NTD4959N-35G

MOSFET N-CH 30V 9A/58A IPAK

onsemi

FDB86563-F085

MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK

onsemi

FDBL86561-F085

MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF

onsemi

FDMC8854

MOSFET N-CH 30V 15A 8MLP