Numărul de produs al producătorului:
FQA47P06
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQA47P06-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 60V 55A TO3P
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 55A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
12850953
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQA47P06 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3600 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
214W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
FQA4
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTH52P10P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
179
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTH52P10P-DG
PREȚ UNIC
4.03
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
R6020KNZ4C13
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
FDFME2P823ZT
MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
FDD2570
MOSFET N-CH 150V 4.7A TO252
