Numărul de produs al producătorului:
FQA28N50_F109
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQA28N50_F109-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 28.4A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
12846813
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQA28N50_F109 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
28.4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 14.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5600 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
310W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
FQA2
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTQ30N50L2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTQ30N50L2-DG
PREȚ UNIC
10.85
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
FDA28N50
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
53
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDA28N50-DG
PREȚ UNIC
2.12
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FCD7N60TM
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
FQA33N10L
MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
FDN372S
MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
