Numărul de produs al producătorului:
FQA28N15_F109
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQA28N15_F109-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 150V 33A TO3PN
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 33A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventar:
12846638
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQA28N15_F109 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
227W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3PN
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
FQA2
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AOD486A
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
NVMJS1D7N04CTWG
MOSFET N-CH 40V 35A/185A 8LFPAK
AO4771
MOSFET P-CH 30V 4A 8SOIC
