Numărul de produs al producătorului:
FQA160N08
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQA160N08-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 160A TO3PN
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 160A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventar:
12848034
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQA160N08 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
290 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7900 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3PN
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
FQA160
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FQA160N08-DG
2156-FQA160N08-488
FQA160N08OS
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFP2907PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2867
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFP2907PBF-DG
PREȚ UNIC
2.55
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXTQ180N10T
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTQ180N10T-DG
PREȚ UNIC
2.90
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AO4447AL
MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC
FCH104N60F
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
FDS8672S
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
