Numărul de produs al producătorului:
FQA13N80
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQA13N80-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 12.6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventar:
12839728
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQA13N80 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3PN
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
FQA1
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FQA13N80-F109
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
76
DiGi NUMĂR DE PARTE
FQA13N80-F109-DG
PREȚ UNIC
2.65
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDP15N40
MOSFET N-CH 400V 15A TO220-3
FDA2712
MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN
FDB5800_F085
MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
