Numărul de produs al producătorului:
FQA13N50CF
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQA13N50CF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 15A (Tc) 218W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventar:
12837831
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQA13N50CF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
480mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2055 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
218W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3PN
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
FQA13
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
488-FQA13N50CF
Pachet standard
450
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK39J60W,S1VQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
22
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK39J60W,S1VQ-DG
PREȚ UNIC
5.38
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDMS015N04B
MOSFET N-CH 40V 31.3A/100A 8PQFN
FDD86580-F085
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
HUFA75333S3ST
MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK
