Numărul de produs al producătorului:
FQA11N90C-F109
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQA11N90C-F109-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 900V 11A TO3P
Descriere detaliată:
N-Channel 900 V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
12847816
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQA11N90C-F109 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
900 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3290 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
FQA11
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FQA11N90CF109
2156-FQA11N90C-F109-OS
FQA11N90C_F109-DG
ONSFSCFQA11N90C-F109
FQA11N90C_F109
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDPF14N30
MOSFET N-CH 300V 14A TO220F
NVMFS5C680NLT1G
MOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN
FQPF10N60CT
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
