Numărul de produs al producătorului:
FDW2508P
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDW2508P-DG
Descriere:
MOSFET 2P-CH 12V 6A 8TSSOP
Descriere detaliată:
Mosfet Array 12V 6A 1W Surface Mount 8-TSSOP
Inventar:
12849720
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDW2508P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2644pF @ 6V
Putere - Max
1W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-TSSOP
Numărul de bază al produsului
FDW25
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
NTMD6P02R2G
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
3322
DiGi NUMĂR DE PARTE
NTMD6P02R2G-DG
PREȚ UNIC
0.43
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AO4822AL_102
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
FDS6890A
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
AO6801E
MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP
