Numărul de produs al producătorului:
FDW2506P
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDW2506P-DG
Descriere:
MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8TSSOP
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 5.3A 600mW Surface Mount 8-TSSOP
Inventar:
12839155
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDW2506P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.3A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1015pF @ 10V
Putere - Max
600mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-TSSOP
Numărul de bază al produsului
FDW25
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDMS7700S
MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56
FDMC7208S
MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
FDS6892AZ
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
