Numărul de produs al producătorului:
FDS9958
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDS9958-DG
Descriere:
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 60V 2.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12849778
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDS9958 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.9A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1020pF @ 30V
Putere - Max
900mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Numărul de bază al produsului
FDS99
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FDS9958CT
FDS9958DKR
2832-FDS9958
FDS9958TR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AO6601_001
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A 6TSOP
AO4882
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
HUFA76404DK8T
MOSFET 2N-CH 62V 3.6A 8SOIC
