Numărul de produs al producătorului:
FDS6961A_F011
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDS6961A_F011-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12837280
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDS6961A_F011 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.5A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
220pF @ 15V
Putere - Max
900mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Numărul de bază al produsului
FDS69
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF9956TRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
297
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF9956TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.43
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDMD82100L
MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER
FDS6986AS
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
FDG6301N-F085P
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
