Numărul de produs al producătorului:
FDS6670A
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDS6670A-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
7202 Piese Noi Originale În Stoc
12838859
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDS6670A Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2220 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
FDS6670
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FDS6670ADKR
FDS6670ACT-NDR
2166-FDS6670A-488
FDS6670ATR-NDR
FDS6670ATR
FDS6670ACT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDD3682
MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA
FQPF5N50CT
MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
FDD86102LZ
MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
