Numărul de produs al producătorului:
FDS3601
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDS3601-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 100V 1.3A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12846539
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDS3601 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.3A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
480mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
153pF @ 50V
Putere - Max
900mW
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Numărul de bază al produsului
FDS36
Informații suplimentare
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF7103TRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
9567
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF7103TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.29
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
FDC3601N
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDC3601N-DG
PREȚ UNIC
0.17
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AON6884L_002
MOSFET 2N-CH 40V 34A 8DFN
AON3814
MOSFET 2N-CH 20V 8DFN
AON3820
MOSFET 2N-CH 24V 8A 8DFN
