Numărul de produs al producătorului:
FDPF3860T
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDPF3860T-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 20A TO220F
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 33.8W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventar:
12848408
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDPF3860T Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
38.2mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
33.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220F-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
FDPF3860
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RFD10P03LSM
MOSFET P-CH 30V 10A TO252-3
BSS84
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
FDB070AN06A0
MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK
