Numărul de produs al producătorului:
FDPF2D3N10C
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDPF2D3N10C-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 222A TO220F
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 222A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventar:
382 Piese Noi Originale În Stoc
12850991
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDPF2D3N10C Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
222A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 700µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
11180 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
45W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220F
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
FDPF2D3
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-FDPF2D3N10C-488
2832-FDPF2D3N10C-488
2832-FDPF2D3N10C
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDD26AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
IPP057N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
FDS6375
MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
