Numărul de produs al producătorului:
FDP33N25
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDP33N25-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 33A (Tc) 235W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12921860
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDP33N25 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
UniFET™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
94mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2135 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
235W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
FDP33
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-FDP33N25-OS
ONSFSCFDP33N25
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RCX330N25
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
382
DiGi NUMĂR DE PARTE
RCX330N25-DG
PREȚ UNIC
1.48
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
STP50NF25
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1337
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP50NF25-DG
PREȚ UNIC
1.11
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NVMFS5C423NLWFT3G
MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
MCAC10H03-TP
MOSFET N-CH 30V 100A DFN5060-8
MCQ08N06-TP
N-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE
