Numărul de produs al producătorului:
FDP120AN15A0
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDP120AN15A0-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 2.8A (Ta), 14A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12837876
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDP120AN15A0 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.8A (Ta), 14A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
770 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
65W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
FDP120
Informații suplimentare
Pachet standard
400
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RCX120N25
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
RCX120N25-DG
PREȚ UNIC
1.05
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
HUF75345P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
AUIRLR3105
MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
AUIRF3710ZS
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
