Numărul de produs al producătorului:
FDMS86263P-23507X
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDMS86263P-23507X-DG
Descriere:
FET -150V 53.0 MOHM PQFN56
Descriere detaliată:
P-Channel 150 V 4.4A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventar:
12973660
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDMS86263P-23507X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.4A (Ta), 22A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
53mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3905 pF @ 75 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-PQFN (5x6)
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Informații suplimentare
Alte nume
488-FDMS86263P-23507XTR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PJD2NA70_L2_00001
700V N-CHANNEL MOSFET
2SJ254
2SJ254 - P-CHANNEL MOS SILICON F
SI3430DV-T1-BE3
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
