Numărul de produs al producătorului:
FDMS86200DC
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDMS86200DC-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 9.3A (Ta), 28A (Tc) 3.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventar:
12847666
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDMS86200DC Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
Dual Cool™, PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.3A (Ta), 28A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2955 pF @ 75 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.2W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-PQFN (5x6)
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
FDMS86200
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FDMS86200DCTR
FDMS86200DC-DG
FDMS86200DCCT
2156-FDMS86200DC-488
FDMS86200DCDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
BSC190N15NS3GATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
9937
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSC190N15NS3GATMA1-DG
PREȚ UNIC
1.26
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTMFS4846NT1G
MOSFET N-CH 30V 12.7A/100A 5DFN
IRFU120ATU
MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK
FDMS7650
MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN
