Numărul de produs al producătorului:
FDMS86101DC
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDMS86101DC-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 14.5A (Ta), 60A (Tc) 3.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventar:
5806 Piese Noi Originale În Stoc
12838087
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDMS86101DC Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
Dual Cool™, PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
14.5A (Ta), 60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3135 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.2W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-PQFN (5x6)
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
FDMS86101
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-FDMS86101DC
FDMS86101DCCT
FDMS86101DC-DG
FDMS86101DCDKR
FDMS86101DCTR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDD6N50TM-F085
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
FQB30N06LTM
MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK
FDB16AN08A0
MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
