FDMA410NZ

Numărul de produs al producătorului:

FDMA410NZ

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FDMA410NZ-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET

Descriere detaliată:

N-Channel 20 V 9.5A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)

Inventar:

44981 Piese Noi Originale În Stoc

12846615

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

FDMA410NZ Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

PowerTrench®

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

9.5A (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 9.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

14 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±8V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1080 pF @ 10 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

2.4W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

6-MicroFET (2x2)

Pachet / Carcasă

6-WDFN Exposed Pad

Numărul de bază al produsului

FDMA410

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

FDMA410NZDKR

FDMA410NZCT

FDMA410NZTR

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

FDB6670AS

MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB

infineon-technologies

AUIRFB3806

MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB

onsemi

FQA30N40

MOSFET N-CH 400V 30A TO3PN

alpha-and-omega-semiconductor

AOT4S60L

MOSFET N-CH 600V 4A TO220