FDMA2002NZ

Numărul de produs al producătorului:

FDMA2002NZ

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FDMA2002NZ-DG

Descriere:

MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET

Descriere detaliată:

Mosfet Array 30V 2.9A 650mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)

Inventar:

35296 Piese Noi Originale În Stoc

12846290

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

FDMA2002NZ Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri

Producător

onsemi

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

PowerTrench®

Starea produsului

Active

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Configurație

2 N-Channel (Dual)

Caracteristică FET

Logic Level Gate

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

2.9A

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

123mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 15V

Putere - Max

650mW

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Carcasă

6-VDFN Exposed Pad

Pachet dispozitiv furnizor

6-MicroFET (2x2)

Numărul de bază al produsului

FDMA2002

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

FDMA2002NZTR

FDMA2002NZCT

FDMA2002NZDKR

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

alpha-and-omega-semiconductor

AO4612

MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC

onsemi

HUFA76504DK8T

MOSFET 2N-CH 80V 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AOD607

MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252-4L

onsemi

FDMS7620S-F106

MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56