Numărul de produs al producătorului:
FDM3622
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDM3622-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 4.4A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Inventar:
3580 Piese Noi Originale În Stoc
12847987
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDM3622 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.4A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1090 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-MLP (3.3x3.3)
Pachet / Carcasă
8-PowerWDFN
Numărul de bază al produsului
FDM362
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FDM3622DKR
FDM3622-DG
FDM3622TR
FDM3622CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
MMBF0201NLT1G
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
FDD9409-F085
MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
FDD6680
MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
