Numărul de produs al producătorului:
FDI045N10A
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDI045N10A-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventar:
12846600
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDI045N10A Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5270 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
263W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262 (I2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
FDI045
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDI045N10A-F102
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
475
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDI045N10A-F102-DG
PREȚ UNIC
1.84
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
IPI045N10N3GXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
894
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPI045N10N3GXKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.32
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AOTF290L
MOSFET N-CH 100V 72A TO220F
AO3420L
MOSFET N-CHANNEL 20V 6A SOT23-3
FDMS0309AS_SN00347
MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN
