Numărul de produs al producătorului:
FDI038AN06A0
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDI038AN06A0-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 17A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventar:
12851256
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDI038AN06A0 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17A (Ta), 80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
310W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262 (I2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
FDI038
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2832-FDI038AN06A0
2832-FDI038AN06A0-488
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDI030N06
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDI030N06-DG
PREȚ UNIC
2.27
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRFSL3206PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1600
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFSL3206PBF-DG
PREȚ UNIC
1.22
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
R6520ENJTL
MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
FDBL9403-F085
MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF
R6511KNJTL
MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
