Numărul de produs al producătorului:
FDH50N50-F133
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDH50N50-F133-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 48A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 48A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
446 Piese Noi Originale În Stoc
12849503
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDH50N50-F133 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
UniFET™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
137 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6460 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
625W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
FDH50N50
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
ONSFSCFDH50N50-F133
FDH50N50_F133-DG
2156-FDH50N50-F133-OS
FDH50N50_F133
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AO4498EL
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
FQI13N50CTU
MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
AOB2606L
MOSFET N-CH 60V 13A/72A TO263
