FDH3632
Numărul de produs al producătorului:

FDH3632

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FDH3632-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventar:

869 Piese Noi Originale În Stoc
12838590
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FDH3632 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Ta), 80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
310W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
FDH363

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
FDH3632FS
FDH3632-DG
Pachet standard
30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
onsemi

FDMS8027S

MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN

onsemi

FQPF13N50CF

MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

onsemi

FQPF2N50

MOSFET N-CH 500V 1.3A TO220F

onsemi

FDB1D7N10CL7

MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK