FDG6306P
Numărul de produs al producătorului:

FDG6306P

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FDG6306P-DG

Descriere:

MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 600mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

Inventar:

30 Piese Noi Originale În Stoc
12847995
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FDG6306P Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
600mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
114pF @ 10V
Putere - Max
300mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pachet dispozitiv furnizor
SC-88 (SC-70-6)
Numărul de bază al produsului
FDG6306

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
FDG6306P-DG
ONSONSFDG6306P
FDG6306PTR
FDG6306PCT
FDG6306PDKR
2156-FDG6306P-OS
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
NTJD4152PT1G
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
15411
DiGi NUMĂR DE PARTE
NTJD4152PT1G-DG
PREȚ UNIC
0.10
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
onsemi

NVMFD5877NLWFT1G

MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN

onsemi

FDMD86100

MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6

onsemi

FDC6561AN

MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6

onsemi

FDMA6023PZT

MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET