Numărul de produs al producătorului:
FDG6303N-F169
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDG6303N-F169-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC88
Descriere detaliată:
Mosfet Array 25V 500mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Inventar:
12846624
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDG6303N-F169 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
25V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
2.3nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 10V
Putere - Max
300mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pachet dispozitiv furnizor
SC-88 (SC-70-6)
Numărul de bază al produsului
FDG6303
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AO8810
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8TSSOP
AON3613
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8DFN
HUFA76413DK8T-F085
MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8SOIC
