Numărul de produs al producătorului:
FDFS6N303
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDFS6N303-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12848074
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDFS6N303 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 15 V
Caracteristică FET
Schottky Diode (Isolated)
Disiparea puterii (max)
900mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
FDFS6
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FDFS6N303TR
FDFS6N303_NLTR-DG
FDFS6N303CT
FDFS6N303CT-NDR
FDFS6N303_NLCT-DG
FDFS6N303DKR
FDFS6N303_NLTR
FDFS6N303_NLCT
FDFS6N303TR-NDR
FDFS6N303_NL
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQB5N50CTM
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
FDS8870
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
FQP11N50CF
MOSFET N-CH 500V 11A TO220-3
