Numărul de produs al producătorului:
FDD850N10LD
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDD850N10LD-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 15.3A TO252-4L
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 15.3A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventar:
12840312
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDD850N10LD Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15.3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
28.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1465 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
42W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252 (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
Numărul de bază al produsului
FDD850
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FDD850N10LDTR
FDD850N10LDDKR
FDD850N10LDCT
FDD850N10LD-DG
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDD850N10L
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
8609
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDD850N10L-DG
PREȚ UNIC
0.40
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NDUL03N150CG
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
2SK3045
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220D-A1
FDMS8570SDC
MOSFET N-CH 25V 28A/60A DLCOOL56
