FDD6780A
Numărul de produs al producătorului:

FDD6780A

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FDD6780A-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 25V 16.4A/30A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 25 V 16.4A (Ta), 30A (Tc) 3.7W (Ta), 32.6W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventar:

12839707
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FDD6780A Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
25 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16.4A (Ta), 30A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 16.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1235 pF @ 13 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.7W (Ta), 32.6W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
FDD678

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
FDD6780ATR
FDD6780ADKR
FDD6780ACT
Pachet standard
2,500

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IPD090N03LGATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
94138
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD090N03LGATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.23
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
onsemi

FDD390N15A

MOSFET N-CH 150V 26A DPAK

onsemi

FDZ206P

MOSFET P-CH 20V 13A 30BGA

onsemi

FDV303N_NB9U008

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

onsemi

FQD7P06TF

MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK