Numărul de produs al producătorului:
FDD6780
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDD6780-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 25V 16.5A/30A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 25 V 16.5A (Ta), 30A (Tc) 3.7W (Ta), 32.6W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12838257
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDD6780 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
25 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16.5A (Ta), 30A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1590 pF @ 13 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.7W (Ta), 32.6W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
FDD678
Informații suplimentare
Alte nume
FDD6780CT
FDD6780DKR
FDD6780TR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPD090N03LGATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
94138
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD090N03LGATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.23
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FCU360N65S3R0
MOSFET N-CH 600V IPAK
FDC021N30
MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
ISL9N302AP3
MOSFET N-CH 30V 75A TO220-3
